1 项目背景
在中美贸易战摩擦加剧的背景下，对于半导体材料自主控制权的争夺已经愈演愈烈。尤其是近几 年我国新建产能成为全球晶圆厂的主要增量，但是制约半导体产业做强的上游关键原材料和生产设备 仍然几乎被美国和日本的公司所垄断，如今西方多家对中国科技尤其是芯片产业的进一步封锁，对于 我国半导体行业发展的打击几乎是一剑封喉，因此半导体材料国产化战略地位凸显，在材料领域进口 替代进程加速是大势所趋。
2 产品说明
CMP (ChemicalMechanicalPolishing)化学机械抛光是一个化学腐蚀和机械摩擦的结合。是目前最 为普遍的半导体材料表面平整技术，兼收了机械摩擦和化学腐蚀的优点，从而避免了由单纯机械抛光 造成的表面损伤和由单纯化学抛光易造成的抛光速度慢、表面平整度和抛光一致性差等缺点。可以获 得比较完美的晶片表面。
国际上普遍认为，器件特征尺寸在0.35μm以下时，必须进行全局平面化以保证光刻影像传递的精 确度和分辨率，而CMP是目前几乎唯一的可以提供全局平面化的技术。其设备作用原理图如下：
研磨液：研磨时添加的液体状物质，颗粒大小跟研磨后的刮伤等缺陷有关，颗粒越大对晶片的损 伤越大，颗粒越小越好。基本形式是由纳米粉体抛光剂和一个碱性组分水溶液组成，颗粒的大小1-
100nm，浓度1.5%-50%，碱性组成一般是KOH，氨或有机胺，pH为9.5-11。
由于气相二氧化硅的高纯度、可控制的原始纳米粒径和粒径分布等，使得气相sio2成为氧化物抛 光研磨液中的主要磨料。
3 项目原料：
金属硅粉、盐酸、氢气。 年产1000吨纳米气相钛白粉项目 年产20000吨特种纸专用轻质碳酸钙项 目年产1000吨BIPB（无味DCP）项目 持续研发
4、项目配套：
化工产业园区、蒸汽、电力、工业水。
5、技术优势
专利：一种气相法生产二氧化硅及金属氧化物的设备
专利：一种生产高纯三氯氢硅和四氯化硅的装置及工艺
6、项目总投资1.5亿元。
7、项目占地：30亩
8、经济效益
