CMP (ChemicalMechanicalPolishing)化学机械抛光是一个化学腐蚀和机械摩擦的结合。是目前较为普遍的半导体材料表面平整技术，兼收了机械摩擦和化学腐蚀的优点，从而避免了由单纯机械抛光造成的表面损伤和由单纯化学抛光易造成的抛光速度慢、表面平整度和抛光一致性差等缺点。可以获得比较完美的晶片表面。
国际上普遍认为，器件特征尺寸在0.35μm以下时，必须进行全局平面化以保证光刻影像传递的精确度和分辨率，而CMP是目前可以提供全局平面化的技术。其设备作用原理图如下：
研磨液：研磨时添加的液体状物质，颗粒大小跟研磨后的刮伤等缺陷有关，颗粒越大对晶片的损伤越大，颗粒越小越好。基本形式是由纳米粉体抛光剂和一个碱性组分水溶液组成，颗粒的大小1-100nm，浓度1.5%-50%，碱性组成一般是KOH，氨或有机胺，pH为9.5-11。
由于气相二氧化硅的高纯度、可控制的原始纳米粒径和粒径分布等，使得气相sio2成为氧化物抛光研磨液中的主要磨料。
本项目经过专有工艺生产的CMP气硅对打破国外品牌对研磨液用气硅的垄断地位，对中国芯片全产业链的发展贡献，具有十分重要意义。
